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本发明公开了一种含InGaN子阱结构的YAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法,主要解决现有GaN共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和性能一致性差的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、第二势垒层、InN隔离层、n+InN集电极欧姆接触层、集电极电极,其中两势垒层之间依次为第一GaN主量子阱层、In组分为3%‑5%的InGaN子量子阱层、第二GaN主量子阱层;两势垒层的Y组分均为6%‑15%的YAlN。本发明共振隧穿二极管峰值电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113097313 B
(45)授权公告日 2022.12.09
(21)申请号 202110335756.1 H01L 29/06 (2006.01)
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