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本申请提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成层叠于所述衬底上的栅极，以及在所述栅极两侧的衬底内分别形成源极和漏极；形成覆盖所述栅极以及所述衬底的掩膜层；以及使用第一湿法刻蚀工艺刻蚀所述掩膜层，以在所述掩膜层内形成开口，所述开口露出所述源极、所述漏极和/或所述栅极的顶部。本申请提供的半导体器件制造方法，通过使用湿法刻蚀工艺打开接触孔区域，刻蚀过程中无等离子体参与，从而改善等离子体诱导损伤效应。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113097131 A
(43)申请公布日 2021.07.09
(21)申请号 202110330030.9
(22)申请日 2021.03.27
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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