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本发明公开了一种UVC半导体发光器件,包括:衬底;外延层,其设置于衬底上,外延层包括依次设置的N型AlGaN层、MQW发光层、P型AlGaN层和P‑GAN层;N电极层,其设置于N型AlGaN层上;P电极层,其设置于P‑GAN层上;以及反射层,其设置于P型AlGaN层上。本发明的UVC半导体发光器件,减少P‑GAN层对深紫外光的吸收,并且增加反射层,先制作欧姆接触电极减少高温退火对反射层的影响,从而可以大大增加出光效率。本发明还提供了一种UVC半导体发光器件的制作方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113078248 A
(43)申请公布日 2021.07.06
(21)申请号 202110340249.7
(22)申请日 2021.03.30
(71)申请人 芜湖
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