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一种半导体激光器失效分析样品制备的中间夹具及其方法.pdfVIP

一种半导体激光器失效分析样品制备的中间夹具及其方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体激光器失效分析样品制备的中间夹具及其方法，中间夹具包括第一夹持件和第二夹持件；第一夹持件用于夹持TO激光器，夹持有TO激光器的第一夹持件注塑后能得到冷镶嵌样品，第二夹持件用于固定冷镶嵌样品并控制其研磨厚度；第一夹持件包括第一壳体和柱形载块；第二夹持件包括第二壳体、调节件和垫件；垫件能在调节件的作用下实现上下移动，同时调节冷镶嵌样品露出样品槽部分的大小。本发明的制备过程无高温操作，有效保护芯片；同时无需昂贵的微纳加工设备，制样过程简易，易于操作；制备得到的样品可直接用于电致发

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113092225 B (45)授权公告日 2022.05.20 (21)申请号 202110321712.3 G01N 1/28 (2006.01)

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