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本发明公开了一种超薄型SOI材料顶层硅和埋氧化层厚度的测量方法,首先取一片SOI晶片,利用X光电子能谱仪进行SOI材料成分测试,采用数据采集和离子溅射交替进行,记录SOI材料中各组分的含量随溅射时间的变化,从而获得样品各组分沿深度分布的信息,做SOI材料中各组分随溅射深度变化的曲线,从Si元素和O元素相对原子浓度与溅射深度关系图中可以直接读出SOI材料硅厚度、埋氧化层厚度以及界面厚度,该方法实现了SOI材料顶层硅厚度、埋氧化层厚度及界面厚度的准确测量;本发明测试方法获得的SOI各层厚度是微观层面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112992711 A
(43)申请公布日 2021.06.18
(21)申请号 202110266083.9 G01N 23/2273 (2018.01)
(22)申请日
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