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用于连续单晶硅生长的石英坩埚及其制造方法和组合坩埚.pdfVIP

用于连续单晶硅生长的石英坩埚及其制造方法和组合坩埚.pdf

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    本发明提供一种用于连续单晶硅生长的石英坩埚及其制造方法和组合坩埚。石英坩埚包括锅体和底部围挡，且石英坩埚是由现有坩埚切割形成，底部围挡和锅体上分别加工有通孔Ⅰ和通孔Ⅱ。组合坩埚包括石英坩埚和外坩埚，所述埚体内形成长晶区；所述埚体、所述底部围挡和所述外坩埚的埚底之间围成的区域形成缓冲区；所述埚体、所述底部围挡和所述外坩埚的埚壁之间围成的区域形成化料区。本发明通过现有坩埚的切割实现了由两个坩埚的成本实现三个坩埚的应用效果，通过在现有坩埚上进行切割，减少了工作成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112981519 A (43)申请公布日 2021.06.18 (21)申请号 202110282991.7 (22)申请日 2021.03.16 (71)申请人 大连连城数控机器股份有限公司

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