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氮化镓HEMT的封装结构及封装方法.pdfVIP

氮化镓HEMT的封装结构及封装方法.pdf

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    本发明公开了一种氮化镓HEMT的封装结构及封装方法，待封装氮化镓HEMT芯片的栅极位于源极和漏极之间，设置第二导电焊盘、第三导电焊盘以及基盘引脚区位于芯片靠近源极的一侧，第一导电焊盘位于芯片靠近漏极的另一侧，通过第一电连接部件电连接漏极和第一导电焊盘，通过第二电连接部件电连接源极和基盘引脚区，通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，通过第三电连接部件电连接栅极与第三导电焊盘，可以使得芯片各电极之间满足耐压距离；通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，形成开尔文源极，以减小驱动回路的寄生电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768427 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 20191

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