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2023-06-04 发布于四川
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弱能量收集用锗锡肖特基二极管的制备方法.pdf

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本发明涉及一种弱能量收集用锗锡肖特基二极管的制备方法，包括：选取衬底；在衬底的上表面形成低温Ge缓冲层；在低温Ge缓冲层的上表面形成高温Ge缓冲层；在高温Ge缓冲层的上表面形成n+DR‑Ge1‑xSnx层；在n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成n‑DR‑Ge1‑xSnx层；在n‑DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成Si帽层；刻蚀至n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成台阶结构；在Si帽层的上表面形成第一电极；在n+DR‑Ge1‑xSnx层的上表面形成第二电极。本发明通过引入Si帽层和合金化

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687539 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011468456.2 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人西安科

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