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本发明涉及多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应的计算方法,包括以下步骤:步骤一:建立多层各向异性拓扑绝缘体结构模型;步骤二:确定各向异性拓扑绝缘体的电磁特性;步骤三:确定边界条件;步骤四:计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的传输矩阵;步骤五:计算多层各向异性拓扑绝缘体结构的反射系数;步骤六:计算所述模型下的反射电磁波的极化偏转率和克尔转角;本发明通过传输矩阵法计算了多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转效应,能够准确地分析多层各向异性拓扑绝缘体克尔偏转特性;本发明能够准确地反映出各向异性拓扑绝缘体表面的磁化方
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112685903 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011637255.0
(22)申请日 2020.12.31
(71)申请人 杭州
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