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本公开提供一种半导体结构。上述结构包含：半导体基板、在半导体基板的顶表面的第一部分之上的栅极堆叠物、在栅极堆叠物的顶表面的至少一部分之上的层叠介电层。层叠介电层至少包含第一子层及第二子层。第一子层由具有低于用于形成第二子层的材料的介电常数的材料形成，且用于形成第二子层的材料具有高于用于形成第一子层的材料的蚀刻选择比。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687685 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011109426.2
(22)申请日 2020.10.16
(30)优先权数据
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