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本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法，结构包括：具有容置凹槽的载片；待键合芯片贴装在容置凹槽中并形成侧壁间隙；侧壁补偿桥接层，连接芯片和载片表面并使侧壁间隙与外界连通；种子层及互联金属层，形成在侧壁补偿桥接层上实现芯片和载片的互联。本发明基于侧壁补偿桥接层的设计，在空腔侧壁和芯片侧壁之间制作桥接，后续制备的RDL在桥面通过。本发明可以解决缝隙难以实现有效填充以及填充存在气泡等问题，防止气泡对后续封装工艺的影响。另外，还可以使芯片表面和载片表面之间形成光滑的曲面，利于后续互联。本发明工艺简单，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112687656 B
(45)授权公告日 2021.06.11
(21)申请号 202110284566.1 H01L 21/52 (2006.01)
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