原创力文档- 1、本文档共16页，其中可免费阅读15页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明属于微电子器件及存储器技术领域，公开了一种相变存储器阵列的制备方法，具体包括：在衬底上沉积多层薄膜结构，其中包括底电极层、加热电极层、选通材料层、连接阻挡层、相变功能层。薄膜制备完成之后仅利用一次光刻工艺对底电极以上部分整体实现图案化，然后进行刻蚀、填充单元间电热隔离绝缘层，并通过额外一次光刻工艺制备分立的顶电极，得到底电极‑功能材料‑顶电极结构完整、可操作的相变存储器阵列。工艺流程中光刻工艺次数的减少，不仅可以降低生产过程中的成本，提高生产效率和成品率，同时二维平面单层器件的制备工艺的简
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112652714 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202011534056.7 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.23
文档评论（0）