采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法.pdf

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本发明公开了一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成P阱、N阱、NMOS和PMOS的栅极结构、NMOS和PMOS的源漏注入；步骤二、沉积具有张应力的应力记忆层；步骤三、形成图形结构将NMOS的形成区域中应力记忆层覆盖以及将PMOS的形成区域中的应力记忆层表面打开；步骤四、进行应力消除离子注入以消除PMOS的形成区域中的应力记忆层的张应力；步骤五、去除图形结构，之后进行退火工艺，退火工艺同时源漏激活和应力记忆层的应力转移。本发明能在采用应力记忆技术提升NMOS的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635327 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011462789.4 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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