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本发明公开了基于色散共轭聚焦测量方法的半导体打标深度检测仪，包括色散共轭聚焦测量探头和高精度滑台，所述色散共轭聚焦测量探头在高精度滑台上方位置，所述高精度滑台上表面固定安装被测硅片载台，所述被测硅片载台上表面固定安装若干被测硅片定位销，所述被测硅片定位销内部放置有硅片，所述硅片上有硅片打标码，所述色散共轭聚焦测量探头、高精度滑台受控于人机界面，通过色散共轭聚焦测量探头进行检测，精度可以达到1nm，可以实现对激光打标码的精确控制，有利于控制硅片打标码的刻痕的深度在清晰度和对硅片机械强度影响最小之间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112649571 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011467310.6
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 中环领先半导体材料有限公司
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