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2023-06-03 发布于四川
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一种降低硅片边缘抛光碎片率的工艺.pdf

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本发明公开了一种降低硅片边缘抛光碎片率的工艺，其实验工艺包括以下步骤：S1、首先将8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水、按照组分的重量份比称取各相应比例的组分，并放置到相应的储存器皿内部进行备用；S2、然后将8寸直拉酸腐硅片放置到BBS边缘抛光机上进行边缘抛光处理，边缘抛光处理完成后，可将称量配比好的8寸直拉酸腐硅片、氨水、盐酸、双氧水、氢氟酸、去离子水导入到清洗机内部对边抛硅片进行清洗处理，并在清洗过程中添加适当的清洗药液；S3、最后可将清洗完成后的8寸直拉酸腐硅片放置到强光

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635302 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011517234.5 (22)申请日 2020.12.21 (71)申请人中环领先半导体材料有限公司

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