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本发明提供了一种半导体激光器的封装结构及其封装方法，半导体激光器的封装结构包括半导体激光器、半导体制冷器和设于半导体激光器与半导体制冷器之间的金属层，所述半导体制冷器包括硅衬底、设于硅衬底上的金属电极、沉积于金属电极上的半导体热电材料和刻蚀于半导体热电材料上的P‑N结构，所述半导体激光器包括第一电极、第二电极、设于第一电极及第二电极之间且从第一电极朝向第二电极方向依次设置的衬底、第一限制层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二限制层、欧姆接触层和欧姆接触层与第二限制层接触的透射光栅层。本发明使封
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112636162 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011511301.2
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 勒威
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