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一种Micro‑LED新型显示器件的制备方法，其特征是提供一LED供体基板，在供体基板上依次生长缓冲层、第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；自第二型半导体层朝向供体基板方向刻蚀至第一型半导体层和多量子阱层的界面处，形成Micro‑LED阵列，在每个Micro‑LED上形成柱状电极；提供一驱动基板，在驱动基板上形成阵列排布的多个像素电极，在各个像素电极上使用光刻胶形成凹槽，向凹槽中注入导电胶；将供体基板与驱动基板对组并加压，使得各个柱状电极通过凹槽中的导电胶与像素电极相连接，剥离供体基板和
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652617 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011524650.8
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十五研
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