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本发明提供一种沟槽隔离结构的制备方法，其中所形成的第一氮化层，不仅能作为沟槽隔离结构的一部分起到辅助隔离的效果，还在去除第一氧化层时作为刻蚀阻挡层，避免衬底被刻蚀，保护沟槽的形貌。且为避免HARP对第二区域中后续形成的PMOS的迁移率造成影响，在形成第一氧化层后，去除第二沟槽中的至少部分第一氧化层，并采用HDPCVD进行二次填充，以形成第二氧化层。不仅保证后续形成PMOS的性能，还通过这一步骤，去除第一氧化层中可能存在的孔隙等填充缺陷。同时，因去除第一氧化层使第二沟槽的深度较浅，则有利于形成致密
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112635394 B
(45)授权公告日 2021.09.17
(21)申请号 202110252703.3 H01L 21/8238 (2006.01)
(22)申请日
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