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本发明提供一种静态随机存储器的制备方法，所述方法在执行N型离子注入之前对部分多晶硅层执行预非晶化离子注入，能防止在N型离子注入过程中因多晶硅层中的晶粒尺寸过大，而导致注入的离子纵向扩散，穿过栅氧化层进入所述P阱区中，从而引起后续形成的下拉NMOS晶体管阈值电压降低，造成电压失配。同时，提高了N型离子注入对多晶耗尽效应的抑制效果。此外，因后续形成的上拉PMOS晶体管和下拉NMOS晶体管共用同一栅极结构，故执行所述预非晶化离子注入还能够抑制N型离子注入中离子的横向扩散，避免N型离子注入对后续形成的上
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112635403 B
(45)授权公告日 2021.05.28
(21)申请号 202110252700.X H01L 21/266 (2006.01)
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