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本发明提供的一种银面碳化硅二极管表面钝化加工工艺，包括以下步骤：S10.在二极管的表面通过金属掩模版曝光刻蚀正面金属铝层；S20.在金属铝层上沉积一层等离子PE氮化硅层，通过钝化掩膜版曝光各向同性干法刻蚀等离子PE氮化硅层，形成器件终端表面钝化结构；S30.在器件终端表面钝化结构上蒸发一复合金属钛镍银层；S40.通过金属掩模版曝光刻蚀复合金属钛镍银层，形成器件银面正电极。与传统各项异性干法刻蚀相比保证了复合金属钛镍银TI‑NI‑AG与金属铝在器件终端处的粘附性，避免了金属钛镍银的脱落，同时此方案
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652533 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011528189.3
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 深圳
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