原创力文档- 1、本文档共7页，其中可免费阅读6页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及具有不对称栅介质层的增强型GaN基MIS‑HEMT及其制备方法，包括生长有GaN沟道层的衬底，依次层叠于沟道层上的第一AlGaN势垒层、第二AlGaN势垒层、第三AlGaN势垒层及钝化层；一栅极沟槽自钝化层的上表面延伸至第二势垒层内，包括栅介质层和栅极金属的栅极结构，其中栅极介质层覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，与第三势垒层的上表面平齐，栅极金属填充栅极沟槽；其中覆盖于两个侧壁的栅介质层厚度不相同，沟槽底部的栅介质层厚度小于侧壁的栅介质层厚度。其改善沟道迁移率，降低导通电阻，具有较高的阈值电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112635545 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202011503224.6 (51)Int.Cl.
文档评论（0）