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本发明提供了一种晶圆固定环及其制备方法与应用，所述晶圆固定环包括底面凹槽以及贯通所述底面凹槽的通孔；所述通孔的侧壁对称设置有至少2个突出部；所述晶圆固定环顶面包括依次设置的喷砂区域与熔射区域；所述喷砂区域为由通孔侧壁向晶圆固定环侧壁延伸的等宽区域；所述熔射区域包括依次设置的凹面熔射区、凸面熔射区与平面熔射区，所述凹面熔射区与喷砂区域相接。本发明通过晶圆固定环结构的特定设置，使晶圆固定环能够稳定固定晶圆，且使用寿命长，能够有效吸附磁控溅射过程中掉落的微粒。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112501577 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202011384845.7 C23C 14/35 (2006.01)
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