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本发明涉及一种半导体制造工艺，具体涉及一种在CSOI上刻蚀悬臂梁的方法，包括如下步骤：提供一组硅片作为第一绝缘层，在第一绝缘层的表面制作空腔结构；在第一绝缘层表面键合由过渡层和第二绝缘层组成的复合层；在复合层表面依次沉积材料形成结构层；在目标刻蚀区范围内任意地方自上而下刻蚀结构层、第二绝缘层和过渡层形成多个通气孔，使得外界与空腔相连；对原定目标刻蚀区进行图案化刻蚀，最后形成目标结构。本发明的方法通过在CSOI的结构层的目标刻蚀范围内先刻蚀出多个通气小孔消除内部真空腔和外界大气压之间形成的压差，再
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112435922 A
(43)申请公布日 2021.03.02
(21)申请号 202011264661.7
(22)申请日 2020.11.11
(71)申请人 武汉大学
地址 43
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