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2023-05-30 发布于四川
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一种新型晶元体及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种新型晶元体及其制备方法，包括衬底，所述衬底镜片包含有一定浓度的间隙氧原子，所述衬底内设置有至少两种薄膜，该薄膜形成于所述衬底的不同预设水平区域内，所述衬底相反的两个侧面为一基准面和一抛光面，所述基准面上设置有一覆盖层，所述覆盖层覆盖衬底的基准面，且覆盖层为表面为Si面，所述抛光面为SiC面。本发明所述的一种新型晶元体及其制备方法，所制得的晶元体其机械强度能够显著提升，有效降低在使用过程中发生碎裂的概率，延长了其使用寿命，适用于不同的多种集成电路工艺，通过在标准晶片所在平面的不同区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466744 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011286934.8 (22)申请日 2020.11.17 (71)申请人深圳宝铭微电子有限公司

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