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本公开的实施例涉及异质外延半导体器件和制造异质外延半导体器件的方法。一种异质外延半导体器件,包括:体半导体衬底;包括第一半导体材料的种子层,该种子层被布置在体半导体衬底的第一侧处并且包括面对体半导体衬底的第一侧、相对的第二侧和连接第一侧和第二侧的横向侧;布置在体半导体衬底和种子层之间的分隔层;异质外延结构,其在种子层的第二侧上生长并且包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料;以及介电材料层,其被布置在种子层上并且至少部分地包封异质外延结构,其中介电材料层还覆盖种子层的横向侧。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115985933 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211260522.6
(22)申请日 2022.10.14
(30)优先权数据
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