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本发明公开一种不同真空度封装的MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：MEMS衬底晶圆制作；将SOI顶层硅面与衬底晶圆顶面键合；去除SOI晶圆的底层硅和埋氧层，通过深硅刻蚀工艺将SOI晶圆的顶层硅释放形成两个可动结构，得到包含第一MEMS结构与第二MEMS结构的MEMS器件结构晶圆；制备第一盖帽；第一次真空封装；在第一盖帽刻蚀透气孔；第二次真空封装；该方法能够在同一圆片上制作不同MEMS器件时实现不同真空度的封装需求，容易实施，且过程可控。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112265956 A
(43)申请公布日 2021.01.26
(21)申请号 202011024266.1
(22)申请日 2020.09.25
(71)申请人 华东光电集成器件研究所
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