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第二章 有机半导体材料载流子迁移率测试方法
三、空间电荷(导致的)受限电流法(SCLC)
Space-Charge-Limited-Current
3.1、器件结构器件结构
器件结构器件结构::
单层有机(发光)二极管,
并加上直流偏压。
有机半导体厚度:
几十纳米几十纳米~几百纳米几百纳米。
电极电极11 电极电极22
有机半导体
3.2、载流子的产生
载流子的产生载流子的产生 ((注入注入):):
1、Thermoionic or Schottky emission
热离子发射或肖特基发射
在低偏低偏压下占主导。
22 、Fowller–Nordhdheiim Tunneliling ((隧穿隧穿))
电极1 电极2
有机半导体 在高偏压下占主导。
载流子注入的种类载流子注入的种类:
由半导体的HOMO 、LUMO
及电极功函共同决定。
常常见电极的功电极的功函:
Au: 5.1 eV, ITO: 4.8, Al: 4.28,
Ag: 4.26, Mg: 3.66, Ca: 2.87, Ba: 2.7
典型聚合物的典型聚合物的HOMO 、LUMO :
MEH-PPV :HOMO 5.1, LUMO 2.8
PFO :HOMO 5.8, LUMO 2.8
几种器件结构类型:
1) Au (+)/MEH-PPV/Au (-) hole dominated device
高势垒
LUMO 2.8 eV
电子注入存在高势垒
无空穴注入势垒
Au (+) 5.1 eV Au (-)
HOMO 5.1 eV
2 ) ITO (+)/MEH-PPV/Au (-) hole dominated device
高势垒高势垒
LUMOLUMO 22.88 eVV
低空穴注入势垒低空穴注入势垒 电子注入存在高势垒电子注入存在高势垒
ITO (+) 4.8 eV Au (-)
HOMO 5.1 eV
3 ) ITO (+)/MEH-PPV/Al (-) hole dominated device
高势垒高势垒
LUMOLUMO 22.88 eVV
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