量子点发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于四川
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量子点发光二极管及其制备方法.pdf

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本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：量子点层；阴离子聚合物层，所述阴离子聚合物层形成于所述量子点层表面；电子传输层，所述电子传输层形成于所述阴离子聚合物层表面。本发明的量子点发光二极管的量子点层中，与电子传输层接触的表面配位为阴离子聚合物，量子点层其余区域仍保留为原始配体。根据同种电荷排斥，异种电荷吸引的原则，当量子点层靠近电子传输层所在一侧的表面配体替换成了阴离子聚合物时，可以一定程度上阻碍与该种阴离子聚合物的官能团的电荷相同的电子注入，从而有助于提升载流子在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520293 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011296931.2 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人 TCL科技集团股份有限公司地址