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2023-05-10 发布于北京
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半导体器件.pdf

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本发明公开了一种半导体器件，包括：位于栅极沟槽的下部内的第一导电层，第一导电层通过第一绝缘层与第二n型半导体层隔离，位于栅极沟槽的上部内的第二导电层，第二导电层通过第二绝缘层与p型半导体层、第三n型半导体层和第一导电层隔离；位于源极沟槽内的第三导电层，第三导电层与p型半导体层和第三n型半导体层连接，第三导电层通过第三绝缘层与源极沟槽的侧壁位置处的第二n型半导体层隔离；位于第二n型半导体层内且位于源极沟槽底部位置处的p型阱区，p型阱区与第三导电层在源极沟槽的底部位置相连接。本发明可以降低栅极被击穿

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114512532 A (43)申请公布日 2022.05.17 (21)申请号 202011281570.4 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人苏州东微半导体股份