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本发明公开了一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法,属于太阳电池技术领域,从下至上依次包括:锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、Ga1‑aInaAs晶格渐变缓冲层、(AlGa)1‑bInbAs/Ga1‑bInbAs第一周期结构过冲层、Ga1‑cIncAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑dIndAs/Ga1‑dIndAs周期结构晶格渐变层、(AlGa)1‑eIneAs/Ga1‑eIneAs第二周期结构过冲层、Ga1‑fInfAs1‑gPg子电池、第三隧穿结、(AlGa)1‑hI
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141901 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202111459296.X
(22)申请日 2021.12.02
(71)申请人 中国电子科技
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