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披露了一种用于处理基底的方法，该方法包括：在真空处理室中接收基底。该基底包括布置在该基底上的III‑V膜层。该III‑V膜层包括暴露表面，该暴露表面下面的内部部分，以及以下中的一种或多种：Al、Ga、In、N、P、As、Sb、Si或Ge。该方法进一步包括：使用基于氢的等离子体处理改变该III‑V膜层的该暴露表面和该内部部分的一部分的化学组成，以形成该III‑V膜层的经改变部分；使用基于氯的等离子体处理去除该III‑V膜层的该经改变部分；以及重复该III‑V膜层的该改变和去除，直到从该基底去除该I
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114175215 A
(43)申请公布日 2022.03.11
(21)申请号 202080054139.8 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
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