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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构两侧且覆盖源漏掺杂层的层间介质层，覆盖栅极结构和层间介质层的第一介电层，贯穿第一介电层和层间介质层的第一插塞和第二插塞，第一插塞与源漏掺杂层连接，第二插塞与栅极结构连接，第一介电层的顶面高于第一插塞和第二插塞的顶面；形成金属互连保护层，金属互连保护层覆盖第一介电层的侧壁；在第一介电层上形成第二介电层，第二介电层开设有露出第一插塞的第一通孔以及露出第二插塞的第二通孔。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141702 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202010925646.6 H01L 23/48 (2006.01)
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