一种晶圆的多层堆叠键合方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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一种晶圆的多层堆叠键合方法.pdf

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本发明公开了一种晶圆的多层堆叠键合方法，属于半导体集成封装技术领域。键合顺序：第一层、第二层晶圆正面工艺‑第一层、第二层晶圆键合‑一侧晶圆减薄及背面工艺‑另一侧晶圆减薄及背面工艺‑第三层晶圆正面工艺及第二层与第三层晶圆键合‑第三层晶圆减薄及背面工艺，为薄晶圆的多层键合提出了解决方案。本发明方法不需要额外增加载片就能进行多层晶圆的键合，根据键合晶圆自身相互的承载作用，逐层增加键合晶圆的层数，规避了因临时键合胶变性难解开而裂片的风险。此外，对比单芯片堆叠，本发明方法显著提高了组装效率，是一种高效的多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114050110 A (43)申请公布日 2022.02.15 (21)申请号 202111264686.1 (22)申请日 2021.10.28 (71)申请人西安微电子技术研究所