晶体硅太阳能电池生产工艺流程图.pdf

晶体硅太阳能电池生产工艺流程图--第1页 晶体硅太阳能电池生产工艺流程图 电池片工艺流程说明： (1)清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表 面机械损伤层，并进行硅片表面织构化，形成金字塔结构的绒面从而 减少光反射。现在常用的硅片的厚度在 180μm 左右。去除硅片表面 损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。 (2)甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。 (3)扩散、刻蚀：多数厂家都选用P型硅片来制作太阳能电池，一 般用POCl 液态源作为扩散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散 3 炉,进行磷扩散形成P-N结。扩散的最高温度可达到850-900℃。这种 方法制出的PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于10％，少子寿命 大于10 微秒。扩散过程遵从如下反应式： 4POCl ＋3O （过量）→2P O ＋2Cl （气）2P O ＋5Si → 5SiO + 4P 3 2 2 5 2 2 5 2 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩 2- 散生成的副产物。SiO 与HF生成可溶于水的SiF ，从而使硅表面的 2 6 磷硅玻璃（掺P O 的SiO ） 溶解，化学反应为： 2 5 2 SiO ＋6HF → H （SiF ）＋2H O 2 2 6 2 (4)减反射膜沉积：采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 技术在电池表面沉 晶体硅太阳能电池生产工艺流程图--第1页 晶体硅太阳能电池生产工艺流程图--第2页 积一层氮化硅减反射膜，不仅可以减少光的反射，而且由于在制备 SiNx 减反射膜过程中有大量的氢原子进入，因此也起到了很好的表 面钝化和体钝化的效果。这是因为对于具有大量晶界的多晶硅材料而 言，晶界的悬挂键被饱和，降低了复合中心的原因。由于表面钝化和 体钝化作用明显，就可以降低对制作太阳能电池材料的要求。由于增 强了对光的吸收，氢原子对太阳能电池起到很好的表面和体内钝化作 用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。 (5)印刷、烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两 面制作电极。正面栅网电极的形式和厚度要求一方面要有高的透过 率，另一方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。背面做成 BSF结构，以减小表面电子复合，印刷后要进行高温烧结。 (6)检测分选：为了保证产品质量的一致性，通常要对每个电池片 测试，并按电流和功率大小进行分类，也可根据电池效率进行分级。 (7)包装入库：将分选好的电池片一部分可以进行包装，入库，准备 外卖；其他的准备进入电池组件生产工序待用。 晶体硅太阳能电池生产工艺流程图--第2页 晶体硅太阳能电池生产工艺流程图--第3页 晶体硅太阳能电池组件流程图 电池分选 电池片焊接 电池串焊接 玻璃清洗 TPT、EVA 裁切 电池板铺设 待压组件初测