模拟与数字电子技术基础（第2版）习题解答.docxVIP

第1章 半导体二极管和晶体管 习题解答 习 题 [1-1] 填空： 1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 3．漂移电流是 在 作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。 5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四个，它们分别是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 7．双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电。 8．场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。 9．场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。 10．当温度升高时，双极型晶体管的β将 ，反向饱和电流ICEO将 ，正向结压降UBE将 。 11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 最为方便。 12．双极型晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ； 在饱和区，应保证 和 ；在截止区，，应保证 和 。 13．当温度升高时，双极型晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解： 化学成分纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 杂质浓度，温度。 少数载流子，(内)电场。 单向导电性，正向导通压降UF和反向饱和电流IS。 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），稳定电流（IZmin），最大管耗（PZmax），动态电阻（rZ）。 增大。 NPN，PNP，自由电子，空穴。 结型，绝缘栅型，多子，单极型。 电压，电流。 变大，变大，变小。 各管脚对地电压。 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 左移，上移，增大。 [1-2] 在题图1-2的各电路图中，E=5V，ui=10V，二极管VD视为理想二极管，试分别画出输出电压uo的波形。 (a) (b) 题图1-2 题1-2电路图 解： 波形如解图1-2（a）（b） (b) 解图1-2 [1-3] 在题图1-3中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY及各元件中通过的电流。（1）UA=10V，UB=0V；（2）UA=6V，UB=5V；（3）UA=UB=5V。设二极管为理想二极管。 题图1-3 题1-3电路图 解： （1）导通，截止 （2）导通，截止 （3）、均导通 [1-4] 设硅稳压管VDz1和VDz2的稳定电压分别为5V和10V，正向压降均为0.7V。求题图1-4中各电路的输出电压UO。 题图1-4 题1-4电路图 解： 图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V。 [1-5] 有两个稳压管VDZ1和VDZ2，其稳定电压值分别为5.5V和8.5V，正向压降