集成电路科学与工程导论完整全套教学课件.pptx

集成电路科学与工程导论;1.1 第三次科技革命——走进;1.1.1 信息及其流动;1.1.2信息处理工具发展简史;1.1.2信息处理工具发展简史;1.1.2 信息处理工具发展简;1.1.3 集成电路背后的物理;1.1.3 集成电路背后的物理;1.1.3 集成电路背后的物理;1.1.3 集成电路背后的物理;1.1.3 集成电路背后的物理;1.2 从元器件到集成电路;1.2 从元器件到集成电路;1.2 从元器件到集成电路;1.2 从元器件到集成电路;1.3 数字集成电路;1.3.1数字集成电路演进的摩;1.3.1数字集成电路演进的摩;1.3.1数字集成电路演进的摩;1.3.1数字集成电路演进的摩;1.3.2中央处理器的发展;1.3.2中央处理器的发展;1.3.2中央处理器的发展;1.3.2中央处理器的发展;1.3.3存储器的发展;1.3.3存储器的发展;1.3.4集成电路设计工具;1.4 模拟集成电路;1.4.1 模拟集成电路基本构;1.4.2 各类模拟集成电路;1.4.2 各类模拟集成电路;1.4.3 模拟集成电路产业;1.4.3 模拟集成电路产业;1.5 集成电路产业的发展;1.5.1 集成电路产业流程;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;1.5.2 集成电路产业模式;集成电路科学与工程导论;集成电路关键材料;从一粒沙到一枚集成电路芯片;从一粒沙到一枚集成电路芯片;半导体材料;半导体材料的基本特性;半导体材料的基本特性;半导体材料的能带结构;半导体材料的能带结构;最早的半导体材料-锗材料;最早的半导体材料-锗材料;最早的半导体材料-锗材料;最常用的半导体材料-硅材料;硅时代;硅谷;第二代半导体：III-V族化合;第二代半导体：III-V族化合;第二代半导体：III-V族化合;第三代半导体-宽禁带半导体;第三代半导体-氮化镓;第三代半导体-氮化镓;第三代半导体-氮化镓;第三代半导体;第三代半导体-碳化硅;第三代半导体-碳化硅;第三代半导体-碳化硅;PowerPoint 演示文稿;发光材料;蓝光LED：照亮21世纪的伟大;中国硅基发光之父-江风益院士;介电材料-高K材料;介电材料-低k材料;介电材料-互联材料;介电材料-互联材料;存储材料;磁存储材料;磁存储材料;磁存储材料;其他非易失存储材料;思考题;集成电路科学与工程导论;PowerPoint 演示文稿;晶体??基本结构;场效应晶体管发展历程;集成电路器件发展趋势;PowerPoint 演示文稿;金属-氧化物-半导体场效应晶体;金属-氧化物-半导体场效应晶体;金属-氧化物-半导体场效应晶体;互补型金属-氧化物-半导体场效;互补型金属-氧化物-半导体场效;发展趋势-摩尔定律;PowerPoint 演示文稿;闩锁效应;蓝宝石上硅技术;绝缘体上硅;PD/FD-SOI;FD-SOI-CMOS器件;绝缘体上硅器件的优势及挑战;PowerPoint 演示文稿;金属-氧化物-半导体场效应晶体;金属-氧化物-半导体场效应晶体;晶体管的演变;鳍式场效应晶体管;FinFET结构;FinFET特征尺寸;栅极的发展趋势;环栅场效应晶体管;互补场效应管;PowerPoint 演示文稿;3.5其他类型晶体管器件;高电子迁移率晶体管;高电子迁移率晶体管;高电子迁移率晶体管;低维场效应晶体管;低维场效应晶体管;自旋逻辑器件;自旋逻辑器件;隧穿场效应晶体管;隧穿场效应晶体管;总结;习题;集成电路科学与工程导论;4.1 集成电路工艺设备基础;PowerPoint 演示文稿;4.1.1 真空基础;4.1.1 真空基础;4.1.2 薄膜技术基础;4.1.3 相关物理和化学基础;4.1.3 相关物理和化学基础;4.2 薄膜沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;4.2.1 物理气相沉积设备;PowerPoint 演示文稿;PowerPoint 演示文稿;PowerPoint 演示文稿;PowerPoint 演示文稿;PowerPoint 演示文稿;4.2.2 化学气相沉积设备;4.2.2 化学气相沉积设备;4.2.2 化学气相沉积设备;4.2.3 其他沉积设备;4.3 图形制作设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.1 光学曝光设备;4.3.2 电子束光刻设备;4.3.3 其他图形制作设备;4.3.3 其他图形制作设备;4.4 图形刻蚀设备;4.4.1 常用的图