RB362B-锂电池保护芯片.pdf

上海晶准电子科技有限公司 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB362B 概述 特性 RB362B是一款内置MOSFET的单节锂电池保 1内置50mΩ MOSFET 护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低 2SOT23-6封装 阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压， 3内置过温保护 充电过流，放电过压，放电过流，过热，短 4可耐9V充电器电压 路等各项保护等功能，确保电芯安全，高效 5两重过放电流检测保护 的工作。 6超小静态电流和休眠电流 RB362B采用SOT23-6封装，外围只需要一个 A 静态工作电流为2.6uA 电阻和一个电容，应用极其简洁，工作安全 B 休眠电流为0.6 uA 可靠。 7符合欧洲 ROHS标准的无铅产品 应用 典型应用图 单节锂离子可充电电池组 单节锂聚合物可充电电池组 自动激活问题 电阻R1阻值100Ω-1kΩ，电容C1 容值0-1uF， 接电芯后芯片能够自动激活，芯片正常工作。 封装和引脚 管脚 符号 管脚描述 1,4 NC NC 2 VM 充电器或负载负电压接入端 3，5 GND 芯片地，两管脚都要接电芯负极 5 VDD 电源端 订货信息 过充检 过充解 过放检 过放解 过流检 打印标 型号 封装 测电压 除电压 测电压 除电压 测电流 记 （V） （V） （V） （V） （A） R362B RB362B SOT23-6 4.30 4.15 2.45 3.0 3.8 xxxx 注意：打印标记的xxxx为字母和数字，用于产品批次识别。 RB362B Rev.0.2 1/ 8 上海晶准电子科技有限公司 内置MOSFET锂电池保护芯片 RB362B 原理图 Figure 1. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD和GND间电压 ) VDD -0.3 8.0 V