28nm超薄体FD-SOI高温输出电流特性研究.docx

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2022-09-13 发布于河北
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1.?? 简介现代社会下，普通商用芯片的工作温度普遍为25℃~85℃，最高不超过125℃[1].而随着时代的发展和科技的进步，航空航天、油井钻探、核电厂和汽车发动机等所面对的更高温度(~300℃)[2][3]的情况对半导体器件提出了更高的要求.应对高温环境提出可靠的解决方案已经成为对能源开采和深空探测等领域内亟待解决的关键问题. 温度升高会导致MOS器件沟道的掺杂水平发生改变，MOS器件阈值电压的减小，亚阈值摆幅的增大，进而使得关态泄漏电流增加，增大了静态功耗.同时，高温也会影响器件正常工作点，使得饱和输出电流减小，电路的工作状态受环境温度影响波动严重，导致电路发生故障. SOI(Silic