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1.?? 引言
第三代宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有高击穿电压、高热导率、高饱和载流子漂移速度等优异的性能，在高温、高频和大功率器件等领域具有广阔的应用前景.
SiC肖特基二极管是最早商业化的SiC器件，因其反向恢复速度快、开关损耗低、开关频率高等优势在开关电源、光伏逆变器、新能源汽车充电器等领域得到了较为广泛的应用.然而，目前SiC材料特性的优势和潜能仍不能在SiC肖特基二极管性能中得以充分发挥，究其原因主要在于决定金属/SiC接触性能的肖特基势垒高度无法得到有效控制，低电阻、高稳定的SiC欧姆接触以及整流特性良好的肖特基接触制备仍然是SiC二极管研制中要攻克的技术难题.
理论上，金属
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