GaN基HEMT器件辐照效应研究.docx

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2022-08-06 发布于湖北
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PAGE 9 题目：GaN基HEMT器件辐照效应研究第一章绪论 1.1 GaN半导体器件研究动态 1.1.1 GaN材料优势 GaN半导体与其他半导体材料电学参数比较如表1[[] 冷永清. GaN高电子迁移率晶体管特性及其功率放大器研究[D].湖南大学,2013.] [] 冷永清. GaN高电子迁移率晶体管特性及其功率放大器研究[D].湖南大学,2013. 第一代半导体Si基器件工艺最为成熟，成本也是最低的，所以具有较好的性价比，Si基半导体器件是目前在低频功率应用市场上占最大份额的功率器件，所以在低频领域具有一席之地。但因为Si 基器件的电子迁移率比较低、高频特性