薄膜型声学滤波器最新进展及技术展望.pdf

薄膜型声学滤波器最新进展及技术展望 目录 1. 薄膜型声学滤波器介绍 2. 薄膜型声学滤波器最新进展 3. 典型TF-SAW滤波器制造 4. 典型FBAR滤波器制造 5. 薄膜型声学滤波器技术展望 芯云纳米技术（苏州）有限公司 薄膜型声学滤波器介绍 芯云纳米技术（苏州）有限公司 SAW介绍 Bulk SAW Thick Film SAW Thin Film SAW 低温度稳定性 较好温度稳定性 较好温度稳定性 低频 更高频 更高频 低Q 高Q 大带宽 高Q 芯云纳米技术（苏州）有限公司 TF SAW介绍 2016年，村田（Murata）推出了基于陶瓷基底 2020年，高通（Qualcomm）推出ultraSAW滤波器技术， 的热补偿（thermo-compensated）滤波器，目 在2.7GHz 以下频段范围内可以提供比与之竞争的体声波 前应用于三星Galaxy S7前端模组 （BAW）滤波器更高的性能。 芯云纳米技术（苏州）有限公司 BAW-SMR介绍 SMR采用几层高低交替阻抗层形成Bragg reflector；应用于1.5GHz-9GHz。 芯云纳米技术（苏州）有限公司 FBAR介绍 薄膜型 空气隙型 ➢ 采用MEMS的体硅工艺从硅片反面 ➢ 采用MEMS的硅表面工艺在硅 刻蚀去除大部分的硅材料； 片的上表面形成一个空气间隙； ➢ 工艺简单，但是机械牢度性差， ➢ 机械牢度优于体硅刻蚀型，但 目前仅限于实验研究。 是工艺过程相对较复杂。 FBAR关键压电材料为AlN薄膜，三明治结构形成谐振腔，能量全部集中在 三明治结构的谐振腔体中，具有非常高的品质因数或者Q值 芯云纳米技术（苏州）有限公司 薄膜型声学滤波器最新进展 芯云纳米技术（苏州）有限公司 POI衬底 成功制备150毫米直径的POI衬底， 厚度均匀性优异。Q 因子高达6000. 芯云纳米技术（苏州）有限公司 内部资料，请勿外传 2020 IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS) POS衬底 通过BCB键合制备