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IRGP4078DPbF
IRGP4078D-EP
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE
FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS C
VCES = 600V
Features INOMINAL = 50A
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
• Low Switching Losses G TJ(MAX) = 175°C
• Maximum Junction temperature 175°C
• 5 µs short circuit SOA E VCE(ON) typ. = 1.9V
• Square RBSOA
n-channel
• 100% of the parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
G
• Ultra-low VF Hyperfast Diode G
• Tight parameter distribution
Benefits
E
• Device optimized for induction heating and soft switching C E
C
applications
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