RS Components 其他智能设备晶体管 SIA537EDJ-T1-GE3 使用说明.pdfVIP

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2022-05-04 发布于广东
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RS Components 其他智能设备晶体管 SIA537EDJ-T1-GE3 使用说明.pdf

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SiA537EDJ Vishay Siliconix N-Channel 12 V (D-S) and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY ® • TrenchFET Power MOSFETs V (V) R () MAX. I (A) Q (TYP.) DS DS(on) D g 0.028 at VGS = 4.5 V 4.5 a • Typical ESD protection: N-channel 2400 V P-channel 2000 V N-Channel 12 0.033 at VGS = 2.5 V 4.5 a 6.2 nC • 100 % R tested 0.042 at VGS = 1.8 V 4.5 a g • Material categorization: For definitions of 0.054 at VGS = -4.5 V -4.5 a compliance please see /doc?99912 0.070 at VGS = -2.5 V -4.5 a P-Channel -20 9.5 nC 0.104 at VGS = -1.8 V -4.5 a APPLICATIONS 0.165 at VGS = -1.5 V -1.5

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