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ZnNb2O6陶瓷粉体制备技术;1. 简介;固相法制备ZnNb2O6陶瓷粉体;固相法制备ZnNb2O6陶瓷粉体;2.实验部分 2.1实验试剂;2.2实验仪器;2.3实验过程;工艺流程图如下:;2.4实验产物表征;3.1 X射线衍射(XRD)分析;从图上可以看出,当煅烧温度为750℃吋,所得到粉体的XRD谱图中除了ZnNb2O6晶体的特征峰(如图2.1.a,)还出现了许多杂峰,经鉴别,这些杂峰与Nb2O5的特征峰基本相吻合,说明在此温度下,Nb2O5和ZnO未能充分反应,不能得到纯净的ZnNb2O6粉体。当煅烧温度升高到800℃吋,所得到粉体的XRD图谱中只有ZnNb2O6特征峰存在(如图2.1.b)。;;3.2扫描电镜(SEM)分析;从图2.2可以看出,用固相法得到的ZnNb2O6粉体颗粒形状接近为球形,粉体颗粒粒径分布较宽,粗细分布不均匀,并存在着大量的团聚现象。
根据(Cahn)的研究结果表明,颗粒生长过程主要受扩散机制或界面反应机制控制,由扩散机制控制的生长过程形成的粉体颗粒为球形,在界面机制控制下颗粒则按一定的取向生长。在此实验中,ZnNb2O6的生成取决于反应物Nb2O5和ZnO的扩散速度以及其反应速度,由于固相法反应的特点可知,反应物的扩散速度远远低于其反应速度,再加上反应过程中无液相存在,;;4. 应用:微波介质陶瓷;4.1 研究背景和意义;;目前在微波通信领域存在着两大发展趋势影响着对微波介质陶瓷的性能要求。首先现代移动通信技术己经在全球范围内日益普及,用户量不断扩大,尤其是移动互联网技术的发展,使移动通信的信息容量更是呈指数增长,为了容纳不断增长的通信容量,微波通信的频率就势必向着更高频率,即毫米波和亚毫米波的方向发展。这给微波介质陶瓷的性能要求带来了两方面的影响,首先介电常数的重要性相对降低,由于介质谐振器的尺寸与λ/ε1/2成正比,频率越高波长越短,介质谐振器的;; 反比,但在更高频率下提高介电常数减小谐振器尺寸的作用是有限的。为了实现通信终端的进一步小型化,釆用微波频率下的多层集成电路技术(MLIC)逐渐得到发展,而多层片式元件(包括片式微波介质谐振器、滤波器及具有优良高频使用性能的片式陶瓷电容器等)是实现这一目的的唯一途径。微波元器件的片式化需要微波介质材料能与高电导率的金属电极共烧。从低成本和环保角度考虑,使用熔点较低的Ag(961℃)或Cu(1064℃)!等金属作为电极材料最为理想,而这就要求微波介质材料能够低温烧结。
; 所以能够和Ag等高电导率的金属电极共烧的低温烧结微波介质陶瓷是今后发展的必然方向[8,9]。综上所述,现代微波通信技术对微波介质陶瓷的性能要求是:高的Q×f值、低的烧结温度、近于零的可调整的温度系数、以及-定水平的介电常数[10]。本论文根据上述要求,重点研究了铌酸盐AB2O6型微波介质陶瓷,尤其以ZnNb2O6为重点(Q×f=83700GHz,ε=25左右)的粉体制备技术,为其能够在这些方法制备ZnNb2O6粉体基础上实现陶瓷的低温烧结。
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