STM32：Flash擦除与读写操作（HAL库）.docxVIP

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2022-04-25 发布于安徽
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STM32：Flash擦除与读写操作（HAL库）.docx

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STM32：Flash擦除与读写操作（HAL库）应?平台：STM32F030F4P6 ST官?库：STM32Cube_FW_F0_V1.9.0 背景知识绝?多数的单?机和微控制器（ARM,x86)，地址空间都是以字节为单位的，也就是说?个地址是?个字节。 Flash存储器有个特点，就是只能写0，不能写1。所以如果原来的地址有数据了，意味着有?些位为0，这些位就相当于?效了。所以必须写之前确保他们都为1，只有擦除才可以。另外每次擦除都必须擦除?个4K??的扇区，这是flash的特性所决定的。对Flash操作前必需打开内部振荡器。 STM32F030F4P6的Flash存储简介 STM32F030F4P6硬件配置：??FLASH (16KB)??RAM (4KB) （包含4个扇区，1个扇区包含4个页，每页有1Kbyte空间） ?户可以对Flash进? 和操作。 erase program The main Flash memory can be programmed 16 bits at a time. Flash memory erase Flash memory addresses Size(byte) 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte 1 Kbyte Description Sector 0 Sector 0 Sector 0 Sector 0 Sector 1 Sector 1 Sector 1 Sector 1 Sector 2 Sector 2 Sector 2 Sector 2 Sector 3 Sector 3 0x0800 0000 - 0x0800 03FF 0x0800 0400 - 0x0800 07FF 0x0800 0800 - 0x0800 0BFF 0x0800 0C00 - 0x0800 0FFF 0x0800 1000 - 0x0800 13FF 0x0800 1400 - 0x0800 17FF 0x0800 1800 - 0x0800 1BFF 0x0800 1C00 - 0x0800 1FFF 0x0800 2000 - 0x0800 23FF 0x0800 2400 - 0x0800 27FF 0x0800 2800 - 0x0800 2BFF 0x0800 2C00 - 0x0800 2FFF 0x0800 3000 - 0x0800 33FF 0x0800 3400 - 0x0800 37FF 0x0800 3800 - 0x0800 3BFF Flash memory addresses 1 Kbyte Size(byte) Description 0x0800 3C00 - 0x0800 3FFF STM32F030F4P6的Flash读写参考代码（HAL库） /* Base address of the Flash sectors */ 1 Kbyte Page 15 Sector 3 #define ADDR_FLASH_PAGE_0 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 0, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_1 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 1, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_2 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 2, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_3 ((uint32_t)0x08000C00) /* Base @ of Page 3, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_4 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 4, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_5 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 5, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_6 ((uint32_t)0 /* Base @ of Page 6, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_PAGE_7 ((uint32_t)0x08001C00) /* Base @ of Page 7, 1 Kbyte */ #define ADDR_FLASH_