华为校招·硬件技术工程师机考试题及答案.doc

精品文档 . 1.(判断题)DRAM上电时存储单元的内容是全0，而Flash上电时存储单元的内容是全1。(4分)?A.正确?B.错误 FLASH可保存 2.(判断题)眼图可以用来分析高速信号的码间干扰、抖动、噪声和衰减。(4分)?A.正确?B.错误 3.(判断题)以太网交换机将冲突域限制在每个端口，提高了网络性能。(4分)?A.正确?B.错误 4.(判断题)放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。(4分)?A.正确?B.错误 5.(判断题)1的8位二进制补码是0000_0001,-1的8位二进制补码是 1111_1111。(4分)?A.正确?B.错误 6.(判断题)洗衣机，电冰箱等家用电器都使用三孔插座，是因为如果不接地，家用电器是不能工作的。(4分)?A.正确?B.错误 7.(判断题)十进制数据0x5a与0xa5的同或运算结果为：0x00。(4分)?A.正确?B.错误 8.(判断题)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大(4分)?A.正确?B.错误 9.(单选题)一空气平行板电容器，两级间距为d，充电后板间电压为u。然后将电源断开，在平板间平行插入一厚度为d/3的金属板。此时电容器原板间电压变为(4分)?A.U/3?B.2U/3?C.3U/4?D.不变 但电容的大小不是由 Q（带电量）或U（电压）决定的，即： C=εS/4πkd。其中，ε是一个常数， S为电容极板的正对面积， d为电容极板的距离， k则是静电力常量。而常见的平行板电容器 电容为C=εS/d.（ε为极板间介质的介电常数， S为极板面积， d为极板间的距离。） 3电容器的电势能计算公式： E=CU^2/2=QU/2 10.(单选题)8086CPU内部包括哪些单元(4分)?A.ALU,EU?B.ALU,BIU?C.EU,BIU?D.ALU,EU,BIU 80x86从功能上分执行单元EU(Execution Unit)，和总线接口单元BIU(Bus Interface Unit)，执行单元由8个16位通用寄存器，1个16位标志寄存器，1个16位暂存寄存器，1个16位算术逻辑单元ALU及EU控制电路组成。总线接口单元由4个16位段寄存器（CS,DS,SS,ES），1个16位的指令指针寄存器，1个与EU通信的内部暂存器，1个指令队列，1个计算20位物理地址的加法器∑及总线控制电路构成。 11.(单选题)为了避免50Hz的电网电压干扰放大器，应该用那种滤波器：(4分)?A.带阻滤波器?B.带通滤波器?C.低通滤波器?D.高通滤波器 12.(单选题)关于SRAM和DRAM，下面说话正确的是：(4分)?A.SRAM需要定时刷新，否则数据会丢失?B.DRAM使用内部电容来保存信息?C.SRAM的集成度高于DRAM?D.只要不掉点，DRAM内的数据不会丢失 【解析】SRAM和DRAM都是随机存储器，机器掉电后，两者的信息都将丢失。它们的最大区别就是：DRAM是用电容有无电荷来表示信息0和1，为防止电容漏电而导致读取信息出错，需要周期性地给电容充电，即刷新；而SRAM是利用触发器的两个稳态来表示信息0和1，所以不需要刷新。另外，SRAM的存取速度比DRAM更高，常用作高速缓冲存储器Cache。 13.(单选题)在RS232串口中，采用哪一种校验方式：(4分)?A.CRC校验?B.海明码校验?C.多种校验方式的组合?D.奇偶校验 14.(单选题)对于D触发器来说，为了保证可靠的采样，数据必须在时钟信号的上升沿到来之前继续稳定一段时间，这个时间称为:(4分)?A.保持时间?B.恢复时间?C.稳定时间?D.建立时间 setup/hold?time?是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求.建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前数据稳定不变的时间输入信号应提前时钟上升沿 (如上升沿有效)T时间到达芯片这个T就是建立时间-Setup?time.如不满足setup?time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器只有在下一个时钟上升沿数据才能被打入触发器 保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后数据稳定不变的时间如果hold?time?不够数据同样不能被打入触发器 建立时间 (Setup?Time)和保持时间 (Hold?time).建立时间是指在时钟边沿前数据信号需要保持不变的时间保持时间是指时钟跳变边沿后数据 15.(单选题)本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体(4分)?A.五价?B.四价?C.三价?D.二价 16.(单选题)模拟信号数字化的过程是(4分)?A.采样-量化-编码?B.采样-编码-量化?C.编码-采样-量化?D.量化-编码-采样 17.(单选题)