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半导体激光器基础知识简介 半导体激光器（激光二极管） 半导体激光器又称为激光二极管（ LD ，Laser Diode ），是采用半导体材 料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓（ GaAs ）、 硫化镉（ CdS ）、磷化铟（InP ）、硫化锌（ZnS ）。激励方式有电注入、电子束激 励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、 双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结 激光器室温时可实现连续工作。半导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运 转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光器在激光通信、 光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、检 测仪器等领域得到了广泛的应用。 半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带 （导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间， 实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复 合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、 电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由 GaAS （砷化 镓）、InAS （砷化铟）、Insb （锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿 正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。电子束激励式半导 体激光器一般用 N 型或者 P 型半导体单晶（ PbS 、CdS 、ZhO 等）作为工作物 质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用 N 型或 P 型半导体单晶（ GaAS 、InAs 、InSb 等）作为工作物质，以其它激光 器发出的激光作光泵激励。 目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构