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2021-11-23 发布于北京
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第36卷第6期东南大学学报(自然科学版) V01．36No．6 2006年“月 JOURNALOFSOUTHEAST Science Nov．2006 UNIVERSrrY(NattlralEdition) CMoS工艺片上传输线研究陈勖王志功李智群 (东南大学射频与光电集成电路研究所，南京210096) 摘要：对深亚微米硅基cM0s工艺集成电路中常用的微带线和共面波导2种传输线结构进行了 CMOs工艺制作了特征阻抗分别研究．从理论上分析了传输线分布参数和损耗，利用O．13“m 测试技术进行测试．利用分布参数电路模型和测试得到的S参数提取出了特征阻抗、衰减常数、品质因数等传输线基本参数．研究结果为设计者选择和设计高性能传输线提供出可借鉴的实用性模型．关键词：cM0s工艺；微带线；共面波导；分布参数模型中图分类号：TB971；TB973文献标识码：A of transmissionlineinCMOS Designon-chip process ChenXuWaIlgZhigong“Zhiqun of (InstituteRF＆OE—Ics，soutlleastuIliVersity，Nanjing210096，china) characteristicsofmost used呦sIIlissionHnesin sub戚cronCMOS Abstract：The commoIlly deep aIld smdied．TheaIldmecalcula廿onoftlledis— ICs，111icm—stripcoplanarwaveguide，werepfoperty tributed aIldlossoftlleⅡansIIlissionlineswere The par锄eters aIlalyzedtheoretically．IIlicr0一strip to in aIld libradeswithtlle 50QaIld70Qwere aIldfabricated coplanarwaVeguide Z0equal designed in of0．1—30GHz aVecto卜 CMOS weremeasured range using 0．13¨m process，and t11e骶quency network was analyzer．TheSOLT(short—open一10ad—thm)de-embeddingtechniqueutilized．Impor_ tant ofmetransIllission ascharacteristic parameters lines，such impedance，attenuationconstant，and wereextractedf幻mmeme