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内存器件介绍之RAM 篇(一) 提到内存，相信大家都不陌生，几乎所有的计算机系统中都有它的身影，按 照内存的工作原理划分，可将内存分为 RAM 和 ROM 两大类。 RAM （Random Access Memory）存储器又称随机存取存储器，存储的内容可 通过指令随机读写访问，RAM 中的数据在掉电时会丢失； ROM （Read Only Memory ）存储器又称只读存储器，只能从中读取信息而 不能任意写信息。ROM 具有掉电后数据可保持不变的优点。 RAM 和 ROM 两大类下面又可分很多小类，如下图所示： ♦SRAM 简介 SRAM 即 Static RAM，也就是静态随机存取存储器，按照制造工艺可分为 NMOS SRAM 、CMOS SRAM 和双极型 SRAM(用的是 TFT) 。 SRAM 的基本存储单元是数字锁存器，只要系统不掉电，它就会无限期地 保持记忆状态。掉电时，存储数据会丢失。并且 SRAM 的行列地址线是分开的 (DRAM 的行列地址线是复用的) 。 SRAM 地特点是读写速度极快，在快速读取和刷新时能够保持数据地完整 性，并且非常省电。所以在一些高速和高可靠性要求电路中，基本上是 SRAM 地天下，如 CPU 的Cache 。但是 SRAM 的存储单元电路结构非常复杂，它内部 采用的是双稳态电路的形式来存储数据，制作一个 bit 存储位通常需要 6 个 MOS 管(4 个 MOS 管组成两个交叉耦合反相器，用来锁存数据，另外 2 个用于对读写 操作过程的控制) 。由于SRAM 的复杂电路结构，使得成本要比 DRAM 高很多， 而且其集成度低，很难做成大容量，一般只有几十 KByte 到几百 KByte 的容量， 最大也就几 MByte 。 下图为 6 个 NMOS 构成的基本 SRAM 存储单元，Xi 和 Yj 为字线；I/O 为数 据输入/输出端；R/W 为读/写控制端。当R/W=0 时，进行写操作；当R/W=1 时， 进行读操作。图中红色虚线框中的T1、T2、T3、T4、T5、T6 六个 NMOS 管构 成一个基本的存储单元。T1、T3 和 T2、T4 两个反相器交叉耦合构成触发器。 电路采用二元寻址，当字线Xi 和 Yj 均为高电平时，T5-T8 均导通，则该单元被 选中，若此时 R/W 为 1 的读操作，三态门 G1 、G2 关闭，G3 打开，存储的数据 从数据线 D ，经过 G3，然后从 I/O 输出。若 R/W 为 0 的写操作，则 G1、G2 打 开，G3 关闭，I/O 上的数据经 G1、G2 写入存储单元。 下图为 32KByte 容量的 SRAM 结构示意图，该 SRAM 有 8 位行地址，译码后 生成 256 根行地址线；列地址线为 7 位，译码后生成 128 根列地址线。对 SRAM 进行读操作时，OE#和 CS#为低电平，WE#为高电平，G1 输出低电平将输入控 缓冲器关闭，G2 输出高电平将输出缓冲器打开，通过行列地址线选中的存储单 元数据经 I/O 和输出缓冲器，最后从 I/O[0:7]输出；写操作时，WE#和 CS#为低 电平，OE#为高电平，G1 输出高电平将输入缓冲器打开，G2 输出低电平将输出 缓冲器关闭，I/O[0:7]上的输出经输出缓冲器和内部 I/O 总线，最后写入行列地 址选中的存储空间中。 ♦DRAM 介绍 DRAM 即Dynamic RAM，动态随机存取存储器的意思，DRAM 的种类有很 多，常用的有： 1).SDRAM：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步动态随 机存取存储器。“同步”是指其时钟频率与 CPU 前端总线的系统时钟频率相同， 并且内部命令的发送与数据的传输都以此频率为基准；“动态”是指存储阵列需 要不断的刷新来保证所存储数据不丢失； “随机”是指数据不是