半导体器件作业-有答案.pdf

1． 半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2 ． 下列固体中，禁带宽度 Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3 ． 硅单晶中的层错属于（ C ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4 ． 施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征 激发后 向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子 5 ． 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6 ． 衡量电子填充能级水平的是（ B ） Ａ 施主能级 Ｂ 费米能级 Ｃ 受主能级 D 缺陷能级 7 ． 载流子的迁移率是描述载流子 ( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子 ( B ) 的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8 ． 室温下， 半导体 Si 中掺硼的浓度为 1014cm－ 3，同时掺有浓度为 1.1 ×1015cm－3 的磷， 则电子浓度 约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升 温至 570K，则多子浓度 约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级（ I ）。（已 知：室温下， ni ≈ 1.5 ×1010cm －3， 570K 时， ni≈2 × 1017cm－3 ） A 1014cm －3 B 1015cm－ 3 C 1.1 ×1015cm－3 D 2.25 ×105cm －3 E 1.2 ×1015cm －3 F 2 ×1017cm－3 G 高于 Ei H 低于 Ei I 等于 Ei 9 ． 载流子的扩散运动产生（ C ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10. 下列器件属于多子器件的是（ B D ） Ａ 稳压二极管 Ｂ 肖特基二极管 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11. 平衡状态下半导体中载流子浓度 n0p0=ni2 ，载流子的产生率等于复合率，而当 npni2 时，载流 子的复合率（ C ）产生率 Ａ 大于 Ｂ 等于 Ｃ 小于 12. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ A ） Ａ 重掺杂的半导体与金属接触 Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触 13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是 （ C ） A BVCEO B BVCBO C BVEBO 14． MIS 结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ B ）。（ VS 为半导体表面电势； qVB=Ei-EF） A VS=VB B VS=2VB C VS=0 15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得 （ C ） A．较厚 B．较薄 C．很薄 16．pn 结反偏状态下，空间电荷层 的宽度随外加电压数值增加而（